شبیه سازی ویژگی‌های ترانزیستور دوقطبی PNP matlab

اعتبار مورد نیاز : 1 + فایل شبیه سازی دارد

دسترسی فقط برای اعضا امکان پذیر است! برای دسترسی به این فایل شبیه سازی ابتدا باید عضو شوید و یا اگر عضو هستید وارد شوید عضویت در سایت

این مثال نشان می‌دهد که چگونه منحنی Ic در مقابل Vce برای یک ترانزیستور دوقطبی نوع PNP تولید می‌شود. بردار جریان‌های بیس و ولتاژهای کلکتور-امیتر حداقل و حداکثر را با دوبار کلیک روی بلوکی با عنوان ‘Define Conditions (Ib and Vce)’ تعریف کنید. برای اجرای تست‌ها و تولید نمودار منحنی‌ها، روی لینک ‘plot curves’ در مدل کلیک کنید.

این نوع نمودار را می‌توان با دیتاشیت سازنده مقایسه کرد تا صحت پیاده‌سازی پارامترهای ترانزیستور تأیید شود. همچنین می‌توانید از این مدل برای بررسی ویژگی‌های ترانزیستور در ناحیه معکوس با تعریف بازه‌ای از ولتاژهای مثبت Vce استفاده کنید. در این ناحیه، بهره توسط پارامتر نسبت انتقال جریان معکوس BR تعریف می‌شود. برای ایجاد بهره جریان معکوس، مقدار این پارامتر را بیشتر از یک قرار دهید.

برای بررسی ویژگی‌های ترانزیستور دوقطبی نوع NPN، مدل NPNCharacteristics را باز کنید.

مدل

نتایج شبیه‌سازی از Simscape Logging

نمودار زیر مشخصه‌های جریان کلکتور (Ic) در مقابل ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) را برای سطوح مختلف جریان بیس (Ib) نشان می‌دهد.